大(dà)家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络350开头的身份证是哪里的安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安(ān)全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安(ān)全(quán)问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国(350开头的身份证是哪里的guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司(sī)披露(lù)过(guò)美光(guāng)等(děng)国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金(jīn)额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技350开头的身份证是哪里的（薄膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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