大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查2023年高考时间是几月几号，四川每年高考时间是几月几号

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美(měi)光公司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施的(de)运营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审2023年高考时间是几月几号，四川每年高考时间是几月几号查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备(bèi)需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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