大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　<arctan1怎么算出来的，arctan1怎么算？strong>美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品未通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安(ānarctan1怎么算出来的，arctan1怎么算？)全法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查(chá)，目(mù)的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全(quán)，是维(wéi)护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为(wèi)保障关(guān)键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造(zào)成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司份(fèn)额提(tí)升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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