大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公室(shì)依法对(duì)美光公司在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链造成重(zhòng)大(dà)安全(quán)风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn越妇言文言文阅读翻译，《越妇言》)查办(bàn)公室依法作出不(bù)予通过网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的(de)运营(yíng)者应(yīng)停止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安(ān)全(quán)问题(tí)危害(hài)国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息(xī)基(jī)础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiān越妇言文言文阅读翻译，《越妇言》g)波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大(dà)供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也(yě)与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的(de)结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入(rù)美国(guó)限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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