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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法对美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等(děng)法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的(de)运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安全(quán)问题(tí)危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约，确(què)保存(cún)储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器(qì)的生产(chǎn攻坚克难与攻艰克难有何区别呢，攻坚克难和攻坚克难有何区别)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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