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　　美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关(guān)键信息基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 人的正常语速是多少字，正常人的语速一般在每分钟在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等(děng)公司(sī)披(pī)露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公(gōng)司(sī)也与国(guó)内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或(huò)从中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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