大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入起飞前多久停止登机，起飞前多久停止登机口来自中国市场(chǎng)收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披(pī起飞前多久停止登机，起飞前多久停止登机口)露(lù)过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在(zài)江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三(sān)大供(gōng)应(yīng)商采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国(guó)内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美(měi)光、西部(bù)数据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

未经允许不得转载：重庆三峡中心医院、三峡中心医院、中心医院 起飞前多久停止登机，起飞前多久停止登机口