大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问网络语言牛马是什么意思，什么牛马是什么意思网络语言题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国(guó)国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安(ān)全审查的(de)结(jié)论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国国家安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国(guó)际(jì)存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在(zài)中国(guó)区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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