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　　美光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全(quán)问题隐患，香炉里面放什么东西插香 香炉里面可以放大米吗ght: 24px;'>香炉里面放什么东西插香 香炉里面可以放大米吗对我国(guó)关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成(chéng)重大(dà)安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键信息基础设施的(de)运营者(zhě)应停止采购(gòu)美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光(guāng)公司(sī)产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信息基(jī)础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng)，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(香炉里面放什么东西插香 香炉里面可以放大米吗shì)美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储晶(jīng)圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比(bǐ)分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国(guó)限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存(cún)储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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