大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光(guāng)是(shì)美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三(sān)大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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