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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销售产品(pǐ衣服为什么晾完会臭，衣服为什么晾完会臭呢n)进行(衣服为什么晾完会臭，衣服为什么晾完会臭呢xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础设施的(de)运营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等(děng)公(gōng)司(sī)披露(lù)过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受益。衣服为什么晾完会臭，衣服为什么晾完会臭呢存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来(lái)可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更(gèng)多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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