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　　美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了(le)网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)的结论。按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基(jī)础设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国(guó)家(jiā)安全(quán)的必要措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚(jiān)定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)实施(shī)网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的(de)存(cún)储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美(měi)光等(děng)国际存(cún)储(chǔ)厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙(lóng)第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别(bié)是数学中e等于多少，高中数学中e等于多少26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售受(shòu)到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会(huì)更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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