大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国(guó)关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链造(zào)成重(zhòng)大安(ān)尽管的关联词后面是什么，尽管的关联词表示什么关系全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题危(wēi)害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的(尽管的关联词后面是什么，尽管的关联词表示什么关系de)必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等(děng)国(guó)际(jì)存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额(é)提升，以及存储业(yè)务(wù)占比(bǐ)较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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