大(dà)家(jiā)好，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基础(chǔ一文钱等于多少人民币，一贯钱相当于现在多少钱)设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙(lóng)采购(gòu)占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要(yào)大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位(wèi)列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金(jīn)额(é)占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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