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　　美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公(gōng)司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成(chéng)网络(luò)安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光在(zài)全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公(gōng)司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商(shāng)为公司供五的大写是什么应(yīng)商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另五的大写是什么外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设(shè)备需(xū)求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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