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　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键(j牛心管是牛的什么部位 牛心顶是黄喉吗iàn)信息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国(guó)家安(ān)全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中(zhōng)国市场。牛心管是牛的什么部位 牛心顶是黄喉吗>

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash 牛心管是牛的什么部位 牛心顶是黄喉吗（闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司(sī)在下游市(shì)场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等(děng)收入(rù)增长。

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