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　　美光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安(ān)全(quán)问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施供应链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的(de)是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全(quán)问题(tí)危害国(guó)家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中国(guó)坚(jiān)定推(tuī)进高(gāo)水平(píbjd娃娃是用什么做的 bjd娃娃可以一起睡吗ng)对(duì)外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络(luò)安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公(gōng)司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著(zhù)下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三(sān)大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国(gubjd娃娃是用什么做的 bjd娃娃可以一起睡吗ó)内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果(guǒ)美(měi)光在(zài)中国(guó)区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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