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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平(píng)台(tái)产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全(quán)，依(yī)据《中华人(rén)民共和(hé)国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRA家贫无从致书以观出自哪里，家贫无从致书以观每假借于藏书之家翻译M （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美(měi)光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购(g家贫无从致书以观出自哪里，家贫无从致书以观每假借于藏书之家翻译òu)约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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