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　　美光公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查(chá)

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)2020双十一狂欢夜节目单，2020双十一狂欢夜节目单美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和(hé)第三(sān)大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西(xī)部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也(yě)与(yǔ)国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能(néng)会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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