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write的过去分词怎么用,write的过去分词英语 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好(hǎo),来看一则(zé)突发消息(xī)。

  美光公司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

  据(jù)网信(xìn)办消息,日前(qián),网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

  审查(chá)发现,美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患,对(duì)我国(guó)关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险,影响我国国家安(ān)全。为此,网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规,我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

  此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络(luò)安全审查,目的(de)是(shì)防范产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安全,是维护国(guó)家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外开放,只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求,欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市场。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发(fā)文(wén)称,为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基(jī)础设(shè)施供应链安全,防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险,维护国(guó)家安全,依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络安全(quán)法》,网络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》,对(duì)美光(guāng)公(gōng)司(Micron)在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全(quán)审查。

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  美光是美国的(de)存(cún)储芯(xīn)片行业龙(lóng)头,也是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī),2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机(jī)构 Omdia(Iwrite的过去分词怎么用,write的过去分词英语HS Markit)统计,2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披(pī)露(lù)过美光(guāng)等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

  美光在江波龙采(cǎi)购占比已经(jīwrite的过去分词怎么用,write的过去分词英语ng)显著(zhù)下(xià)降,至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

  公告(gào)显示, 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商(shāng),采(cǎi)购约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示,江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约,确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性,巩固公司在(zài)下(xià)游市(shì)场的供应优势,公司也与国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的(de)合作。

  有券(quàn)商此前就分析,如果美光在中国区销售(shòu)受到限制,或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士,国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu),同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽,催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露,薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江存储(chǔ)被(bèi)加(jiā)入美国限制名单(dān),设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速(sù),看好拓荆科技(薄膜沉积)等相关公司份额提升,以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗(xǐ))等收入增(zēng)长。

 

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