大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我低头看我是怎么玩你的，低头看我是怎么弄你的国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全(quán)审(shěn)查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措(cuò)施低头看我是怎么玩你的，低头看我是怎么弄你的。中国坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成网络安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司(sī)也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。低头看我是怎么玩你的，低头看我是怎么弄你的ong>存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能(néng)会(huì)更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。