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　　美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售的(de)产品未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络(luò)安全(quán)审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发(fā)文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国家安(ān)全，依据(jù)《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披(pī)露过美(měi)光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年(nián)先中间后两边的字有哪些 先外后内的字有哪些报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深(shēn)的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入(rù)美(měi)国限(xiàn)制名单(dān)，设备(bèi)国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务(wù)占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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