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香炉里面放什么东西插香 香炉里面可以放大米吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来(lái)看一则突发消息。

  美光公司在(zài)华(huá)销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

  据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息,日前,网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

  审查发现,美(měi)光(guā香炉里面放什么东西插香 香炉里面可以放大米吗ng)公司产品存在较严重网络安全问题隐患,对我国关键信息基础设施(shī)供应链造(zào)成重大安(ān)全风险,影响我国国家安全。为(wèi)此,网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规,我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

  此次(cì)对美(měi)光公司产品进(jìn)行(xíng)网络(luò)安全审查,目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全(quán)问题危害国(guó)家关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施安全,是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放,只要(yào)遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求,欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

  半导(dǎo)体突发!中国出手:停(tíng)止采(cǎi)购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发文称,为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施供应链安(ān)全(quán),防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn),维(wéi)护国(guó)家安全,依(yī)据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》,网络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网络安全审查。

  半导(dǎo)体突发!中国出手:停止采购!

  美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头,也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一,2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

  美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降,至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额(é)占比分(fēn)别是(shì)26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示,江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约,确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性,巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势,公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

  有券商此前就分析,如(rú)果美(měi)光在中国区(qū)销(xiāo)售受(shòu)到限(xiàn)制,或将导致下游(yóu)客(kè)户(hù)转而(ér)采购国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士,国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产品

  分析称,长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺步骤,同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿(yán)要刻到(dào) 60:1的深孔,未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽,催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电(diàn)子(zi)披露,薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75%。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名(míng)单,设备国产化进程加速,看好拓荆科技(jì)(薄(báo)膜沉积)等相关公(gōng)司(sī)份(fèn)额(é)提升,以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等收入增(zēn香炉里面放什么东西插香 香炉里面可以放大米吗g)长。

 

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