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没带罩子让捏了一节课感受

没带罩子让捏了一节课感受 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则突发消息。

  美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

  据(jù)网(wǎng)信办消息,日前,网(wǎng)络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

  审查发现,美光公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题隐患,对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn),影响我国(guó)国(guó)家安全。为此,网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规(guī),我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

  此次对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查,目的(de)是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全,是维(wéi)护(hù)国家安(ān)全(quán)的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放,只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半导(dǎo)体突发(fā)!中国出手:停(tíng)止采购!

  3月31日(rì),中国网信网(wǎng)发(fā)文称,为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全,防范产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险,维护国家安全,依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》,网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》,对美光公司(Micron)在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全审查。

  半导体(tǐ)突发!中国(guó)出手:停(tíng)止采购!

  美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙(lóng)头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash (闪存)市(shì)场份额约(yuē)为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司(sī)中(zhōng),江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等(děng)公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

  美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng),至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商(shāng),采购(gòu)约31亿(yì)元,没带罩子让捏了一节课感受占(zhàn)比33.52%;2022年,江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

没带罩子让捏了一节课感受>  目(mù)前(qián)江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示,江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据(jù)等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约,确保存储晶圆供应的稳定性(xìng),巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供应(yīng)优(yōu)势,公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析,如果美光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制,或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对(duì)产品

  分(fēn)析称(chēng),长存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60:1的深孔(kǒng),未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽,催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露,薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75%。自(zì)长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限制名(míng)单(dān),设备国产化进程(chéng)加(jiā)速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等相关公司(sī)份(fèn)额提升,以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科(kē)(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等收(shōu)入(rù)增长。

 

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