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　　美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查(chá)，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害(hài)国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关(guān)键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS子不学,非所宜什么意思，子不学,非所宜这句话是什么意思 Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiān子不学,非所宜什么意思，子不学,非所宜这句话是什么意思g)波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定(dìng)性，巩(gǒng)固(gù)公(gōng)司(sī)在(zài)下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存(cún)储器(qì)的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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