大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，角鲨烷能天天用吗，为什么医生不建议用烟酰胺美(měi)光公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造(zào)成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不予通(tōng)过网络(luò)安全审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法规(guī)，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目(mù)的(de)是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障(zhàng)关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查(c角鲨烷能天天用吗，为什么医生不建议用烟酰胺há)。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大(dà)供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞对产品角鲨烷能天天用吗，为什么医生不建议用烟酰胺ng>

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。