大(dà)家好，来看一则(zé)突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国(guó)关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施(shī)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在(zài)中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游设备(bèi顶到底是一种怎样的体验，顶到宫颈是顶到底什么感觉)厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催(cuī)生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美顶到底是一种怎样的体验，顶到宫颈是顶到底什么感觉国(guó)限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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