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　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公(gōng)司(sī)认真地还是认真的写作业，认真的与认真地产品(pǐn)存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行(xíng)业(yè)龙头(tóu)，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(d认真地还是认真的写作业，认真的与认真地ì)一(yī)大、第二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据(jù)等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合(hé)约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游(yóu)市场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果(g认真地还是认真的写作业，认真的与认真地uǒ)美光在中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要(yào)经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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